Топ Новини

Тайванські вчені створили флеш-пам'ять, що самовідновлюється

4 грудня 2012 в 05:56
Дослідники піддали комірки пам'яті короткостроковому сильному нагріванню, після даної процедури кількість циклів перезапису чіпів флеш-пам'яті MLC NAND зросла з 10 тисяч до ста мільйонів.
874311_3.jpg
phys.org

Тайванські дослідники з компанії Macronix розробили флеш-пам'ять, здатну протистояти процесу знесення.

В основі розробки лежить здатність комірок пам'яті відновлюватися під впливом високих температур. Дослідники запропонували піддати осередки короткостроковому сильному нагріванню (кілька мілісекунд при температурі 800 градусів Цельсія). Стверджується, що після такої процедури кількість циклів перезапису чіпів флеш-пам'яті MLC NAND зросте з 10 тисяч до ста мільйонів і більше.

«Нагрівачі» було вирішено розташувати прямо на схемі таким чином, щоб кожен із них охоплював лише невелику групу осередків. Вводити в дію «нагрівачі» планується почергово. При цьому пристрій, в якому задіяна плата, - наприклад, смартфон, - має бути підключено до джерела живлення, але при цьому перебувати він має в неактивному стані.

Більш докладно розповісти про розробку дослідники з Macronix планують на конференції IEDM, яка відбудеться у Сан-Франциско 10-12 грудня.

Флеш-пам'ять використовується у мобільних пристроях, SSD-дисках, USB-накопичувачах. Існують різні методи продовження терміну її служби. Один з них, що отримав назву «Wear levelling» («Нівелювання зносу») передбачає почергове використання всіх сегментів пам'яті замість постійної роботи з одними і тими самими осередками.

Читайте також:

Японські інженери розробили технологію передачі даних ультразвуком

Ультразвук збиває нейрони з шляху

Американці випробували бойового літаючого робота-невидимку (ВІДЕО)

Японські вчені синтезували сто тринадцятий елемент таблиці Мендєлєєва

За матеріалами: Лента.ру
Помітили помилку?
Будь ласка, виділіть її мишкою та натисніть Ctrl+Enter
Немає коментарів
Реклама
USD 25.77
EUR 27.74
Останні новини